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本發明屬于半導體的技術領域，公開了一種高可靠性氮化鎵基功率器件，自下而上包括襯底和氮化鎵基層，在所述氮化鎵基層的兩端分別設置有源電極和漏電極，在其中部設置有柵電極，在所述柵電極和漏電極之間的區域自下而上還設置有阻隔層、鈍化層，在所述柵電極和...
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