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描述了執行半導體器件的晶片級老化（ＷＬＢＩ）的方法，其中，系統設置為具有至少兩個電極（２１０、２１５）。電偏壓（９２０）和／或熱功率（９２５）施加在具有用于由晶片承載的半導體器件的前后電接觸件的晶片（１００）的每個側面上。柔性導電層（９１０...
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