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本公開涉及一種III?V襯底上的高介電常數電容器結構。一種半導體結構包含III?V半導體結構；第一電極；安置于所述第一電極上方的第一阻擋層；安置于所述第一電極上方的第一粘附層；安置于所述第一粘附層上方的第一鈍化層；安置于所述第一鈍化層上方的...
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