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一種采用激光裂片技術(shù)制備SOI硅片的機(jī)臺，包括基座，所述基座上從左向右依次裝有裂片箱、加熱箱、晶盤，所述晶盤固定于送料盤上，所述加熱箱內(nèi)安裝有保溫管，所述保溫管內(nèi)套有爐管，所述爐管的左端固定有激光發(fā)射頭，所述加熱箱的頂端安裝有冷卻設(shè)備。其有...該專利屬于沈陽硅基科技有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過沈陽硅基科技有限公司授權(quán)不得商用。