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本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法、基板處理裝置和記錄介質(zhì)。提高在基板上形成的膜的特性。本申請(qǐng)的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有：準(zhǔn)備在表面露出第一膜的基板的工序，該第一膜含有硅、氧、碳和氮，且氧原子濃度比硅原子濃度高，硅原子濃度比碳原子濃度高，碳...該專利屬于株式會(huì)社日立國(guó)際電氣所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)株式會(huì)社日立國(guó)際電氣授權(quán)不得商用。