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本發明涉及SiC單晶及其制造方法。提供不含多晶、除側面端部外不含裂紋的SiC單晶。SiC單晶的制造方法，其是使保持于晶種保持軸(12)下端面的晶種基板(14)與配置在坩堝(10)內的具有從內部向液面溫度降低的溫度梯度的Si?C溶液(24)接...
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