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本發(fā)明提供了薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及電子設(shè)備，該薄膜晶體管包括：柵極；柵絕緣層；有源層；源漏電極，其中，在所述源漏電極靠近所述柵極的表面設(shè)置有保護(hù)結(jié)構(gòu)。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過在源漏電極靠近所述柵極的表面設(shè)置保護(hù)結(jié)構(gòu)，可以避免在刻蝕過程對...該專利屬于京東方科技集團(tuán)股份有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過京東方科技集團(tuán)股份有限公司授權(quán)不得商用。