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本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件制備技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種氧化鎵基金屬?氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管及其制備方法。以半絕緣氧化鎵單晶為基體，其表面依次為非摻雜氧化鎵層、錫層和圖形化錫層；未被圖形化錫層覆蓋的錫層表面為氧化物介質(zhì)層，氧化物介質(zhì)層與圖形化錫層間形...該專利屬于大連理工大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過大連理工大學(xué)授權(quán)不得商用。