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本發明提供了一種超結碳化硅器件及其制備方法，所述制備方法包括在具有第一導電類型的碳化硅襯底的正面生長具有第一導電類型的第一外延層；在第一外延層內形成一個或多個溝槽；在溝槽內按照由下到上的順序依次生長多個具有第二導電類型的第二外延層，直至完成...該專利屬于全球能源互聯網研究院;國家電網公司;國網山東省電力公司所有，僅供學習研究參考，未經過全球能源互聯網研究院;國家電網公司;國網山東省電力公司授權不得商用。