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本發明公開了一種具有部分本征GaN帽層的新型槽柵增強型MIS結構AlGaN/GaN異質結場效應晶體管。這種新型晶體管結構是在晶體管柵極邊緣引入本征GaN帽層，該本征GaN帽層會降低該區域導電溝道的二維電子氣濃度，實現電場調制效應。通過產生新...
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