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本發(fā)明涉及一種采用了該發(fā)明的低柵漏電容的縱向場效應(yīng)晶體管及其制造方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。在該方法中，由于其首先在襯底的頂部形成凸出于襯底頂部的厚柵氧區(qū)，并在該厚柵氧區(qū)之上形成作為柵極的多晶硅，從而利用該厚柵氧增加了柵漏電容介質(zhì)層的厚度，同...該專利屬于上海矽望電子科技有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過上海矽望電子科技有限公司授權(quán)不得商用。