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一種存儲(chǔ)器件的形成方法，包括：提供底層基底，所述底層基底上具有控制電路；在控制電路上形成頂層基底，在形成頂層基底的過程中采用原位摻雜工藝在所述頂層基底中摻雜導(dǎo)電離子，所述頂層基底具有預(yù)設(shè)優(yōu)化厚度，頂層基底包括第一襯底和位于第一襯底上的第二襯...該專利屬于長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司授權(quán)不得商用。