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本發(fā)明實(shí)施例公開了一種三維存儲(chǔ)器測(cè)試結(jié)構(gòu)及其制作方法、測(cè)試方法，該三維存儲(chǔ)器測(cè)試結(jié)構(gòu)曝露所述第M層金屬柵極的部分區(qū)域，從而在研發(fā)過程中，可以利用該測(cè)試方法通過直接利用探針測(cè)試第M層金屬柵極的電阻，來獲得所述三維存儲(chǔ)器測(cè)試結(jié)構(gòu)中金屬柵極的填充...該專利屬于長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司授權(quán)不得商用。