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本發明描述用于蝕刻低k及其它介電質膜的方法及制程腔室。舉例而言，方法包括以等離子體制程修改低k介電層的部分。在掩模層及低k介電層的未經修改的部分上有選擇地蝕刻低k介電層的經修改的部分。描述具有用于交替地產生不同等離子體的多個腔室區域的蝕刻腔...
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