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本方案提供的化學機械研磨方法，在三維存儲器的外圍電路區域以及存儲區域沉積氧化層后，對外圍電路區域進行第一道刻蝕，使得外圍電路區域的氧化層的最低高度與存儲器區域中臺階的最高高度相同；并在三維存儲器的氧化層上形成阻擋層；然后對存儲區域進行第二道...
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