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本發(fā)明公開一種超摻雜均勻性大面積SiC外延層的制備方法及其生長腔室結構。該超摻雜均勻性大面積SiC外延層的制備方法在常規(guī)的LPCVD外延生長源主進氣管路額外增加兩個側進氣管路，通過調節(jié)兩個側進氣管路通入的生長源種類與通入量的大小，結合旋轉托...該專利屬于東莞市天域半導體科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過東莞市天域半導體科技有限公司授權不得商用。