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本發明公開了一種提高外延片片內電阻率均勻性的方法，涉及硅襯底外延層的制作方法技術領域。所述方法包括如下步驟：利用高純度的氯化氫氣體在高溫下對外延爐基座進行腐蝕；向外延爐基座片坑內裝入硅襯底片，外延爐升溫過程中利用高純度的氫氣吹掃外延爐腔體，...該專利屬于河北普興電子科技股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過河北普興電子科技股份有限公司授權不得商用。
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本發明公開了一種提高外延片片內電阻率均勻性的方法，涉及硅襯底外延層的制作方法技術領域。所述方法包括如下步驟：利用高純度的氯化氫氣體在高溫下對外延爐基座進行腐蝕；向外延爐基座片坑內裝入硅襯底片，外延爐升溫過程中利用高純度的氫氣吹掃外延爐腔體，...