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本發明提供了一種納米電極陣列，該納米電極陣列包括其上均勻垂直設置等高硅尖陣列2的硅片襯底1，設置硅尖陣列2一側的硅片襯底1的表面和硅尖陣列2表面包覆金屬薄膜層3，位于硅尖陣列2峰頂的金屬薄膜層3設有納米顆粒4。該本發明中的納米電極陣列，體積...該專利屬于國網智能電網研究院;國家電網公司所有，僅供學習研究參考，未經過國網智能電網研究院;國家電網公司授權不得商用。
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