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本發明涉及具有階梯狀邊緣終端的半導體器件，以及用于制造半導體器件的方法。半導體本體具有第一側面、第二側面、橫向邊緣、有效區域、有效區域和橫向邊緣之間的邊緣終端、以及第一導電類型的漂移區。邊緣終端包括在第一側面和橫向邊緣之間的在半導體本體中形...
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