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通過在半導體本體上形成氧化催化劑層隨后通過氧化工藝來形成非平面晶體管器件，所述器件在其半導體本體中包括氧化物隔離結構。在一個實施例中，半導體本體可以由含硅材料形成并且氧化催化劑層可以包括氧化鋁，其中氧化半導體本體以形成氧化物隔離區域形成了半...
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