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本發明揭示了一種改善晶圓粗糙度的方法，包括：預濕潤步驟；電化學拋光步驟；電鍍步驟；以及干燥步驟；其中，電鍍步驟中向晶圓表面電鍍的金屬層厚度不超過15nm。本發明提供的方法能夠去除晶圓表面的金屬層且不會損傷晶圓；同時還能夠改善晶圓表面的粗糙度...該專利屬于盛美半導體設備(上海)有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過盛美半導體設備(上海)有限公司授權不得商用。
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