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一種具有半導(dǎo)體性質(zhì)Ⅱb型金剛石單晶的人工生長方法及裝置，該方法是向作為碳源的石墨中摻加氮化硼,使金剛石晶體在生長過程中有硼原子摻雜，高溫高壓條件下，將金剛石晶種置于金屬觸媒的底部，利用溫度梯度法生長；生長裝置包括導(dǎo)電片、導(dǎo)電石墨環(huán)、耐火保溫...該專利屬于濟南中烏新材料有限公司所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過濟南中烏新材料有限公司授權(quán)不得商用。