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本發明公開了用于蝕刻原子層的襯底處理系統和方法。所述方法和系統被配置為將第一氣體引入所述室，該氣體是適合于蝕刻所述層的蝕刻劑氣體，且允許所述第一氣體存在于所述室中持續足以造成所述第一氣體中的至少一些吸附到所述層的一段時間。用惰性氣體實質上置...
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