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本發明提供一種半導體裝置及其制造方法。上述半導體裝置包括一第一摻雜區和一第二摻雜區，兩者形成于一基板中，一部分的該基板使該第一摻雜區和該第二摻雜區彼此分離，該第一摻雜區和該第二摻雜區具有相反導電類型的摻質。一第一柵極，形成于該基板上方，該第...該專利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過臺灣積體電路制造股份有限公司授權不得商用。
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本發明提供一種半導體裝置及其制造方法。上述半導體裝置包括一第一摻雜區和一第二摻雜區，兩者形成于一基板中，一部分的該基板使該第一摻雜區和該第二摻雜區彼此分離，該第一摻雜區和該第二摻雜區具有相反導電類型的摻質。一第一柵極，形成于該基板上方，該第...