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本發(fā)明提供一種MEMS器件的形成方法，包括：提供襯底；在襯底上形成含碳的犧牲層；在所述犧牲層上以及犧牲層的側(cè)壁覆蓋材料層；刻蝕部分所述材料層，以在所述材料層中形成露出部分犧牲層的孔洞；通過所述孔洞進(jìn)行刻蝕以去除所述犧牲層，形成由所述材料層與...該專利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過中芯國際集成電路制造(上海)有限公司授權(quán)不得商用。