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本發明公開了一種超級結半導體器件及其形成方法。該超級結半導體器件包括：半導體襯底；位于半導體襯底之上的埋層，埋層包括交替排列的、沿第一方向延伸的多個P型條狀埋區和多個N型條狀埋區；位于埋層之上的超級結器件層，超級結器件層底部包括交替排列的、...
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