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本發明提供一種基于懸空p?n結量子阱的光致晶體管及其制備方法，利用各向異性硅刻蝕技術，剝離去除器件結構下硅襯底層，得到基于懸空氮化物薄膜p?n結量子阱的光致晶體管，進一步采用氮化物背后減薄刻蝕技術，獲得超薄的懸空器件。本發明中，晶體管一端作...
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