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本發明的目的是提供高包括具有穩定的電特性的薄膜晶體管的可靠性的半導體器件。在用于制造包含其中氧化物半導體膜被用于包括溝道形成區的半導體層的薄膜晶體管的半導體器件的方法中，熱處理(該熱處理用于脫水或脫氫)被進行以便提高氧化物半導體膜的純度以及...
該專利屬于株式會社半導體能源研究所所有，僅供學習研究參考，未經過株式會社半導體能源研究所授權不得商用。

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