溫馨提示:您尚未登錄,請點 登陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明公開了一種深溝槽填充方法,在深溝槽內,先用外延填充,外延填充至溝槽側壁的外延在底部合攏之后,再利用非導電介質對溝槽內剩余空隙進行填充至填充滿溝槽。本發明所述的深溝槽填充方法,外延填充在外延底部合攏后頂部合攏前停止,保持底部和頂部的外延...該專利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司所有,僅供學習研究參考,未經過上海華虹宏力半導體制造有限公司授權不得商用。
溫馨提示:您尚未登錄,請點 登陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明公開了一種深溝槽填充方法,在深溝槽內,先用外延填充,外延填充至溝槽側壁的外延在底部合攏之后,再利用非導電介質對溝槽內剩余空隙進行填充至填充滿溝槽。本發明所述的深溝槽填充方法,外延填充在外延底部合攏后頂部合攏前停止,保持底部和頂部的外延...