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本發(fā)明提供了一種控制多晶硅柵極關(guān)鍵尺寸均勻性的方法，包括：第一步驟：建立密封的反應(yīng)腔體內(nèi)的托盤的表面的各個距離處，反應(yīng)腔側(cè)壁上生成的SiO2Cl4析出的氧離子濃度與反應(yīng)腔側(cè)壁使用時數(shù)之間的第一關(guān)系；第二步驟：建立氧離子濃度和關(guān)鍵尺寸的第二關(guān)...該專利屬于上海華力微電子有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過上海華力微電子有限公司授權(quán)不得商用。