溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。

利用具備基座(20)和加熱環(30)的外延生長裝置的外延硅晶片的制造方法，其特征在于，將硅晶片(W)的表面位置(b)設為比所述基座(20)的外周部的表面位置(c)高，并將所述硅晶片(W)的表面位置(b)設為比所述加熱環(30)的表面位置(a...
該專利屬于勝高股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過勝高股份有限公司授權不得商用。

詳細技術文檔下載地址

溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。