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一種多孔隙存儲器設備，諸如存儲器或開關，可以提供頂部和底部電極，存儲器材料層(例如，SiOx)被定位在電極之間。存儲器材料層可以提供納米多孔隙結構。在某些實施例中，納米多孔隙結構可以電化學地形成，諸如通過陽極蝕刻。穿透存儲器材料層的細絲的電...
該專利屬于威廉馬歇萊思大學所有，僅供學習研究參考，未經過威廉馬歇萊思大學授權不得商用。

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