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本發明公開了一種具有自整流特性的RRAM存儲單元結構及其制備方法，該RRAM存儲單元結構包括襯底、下電極、阻變層、整流層、勢壘層以及上電極，所述下電極位于所述襯底之上，所述阻變層設置在所述下電極上，所述整流層與勢壘層設置在所述阻變層上，所述...
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