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本發明涉及一種用于PVT法制備半導體單晶材料的原位摻雜方法，步驟如下：1）采用兩溫區PVT晶體生長爐，將原料、摻雜物進行工藝處理后混合一起放入原料區、襯底放入襯底位置；2）調置PVT晶體生長爐一溫區、二溫區溫度，其溫度范圍根據原材料物理性能...該專利屬于中國電子科技集團公司第四十六研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國電子科技集團公司第四十六研究所授權不得商用。
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本發明涉及一種用于PVT法制備半導體單晶材料的原位摻雜方法，步驟如下：1）采用兩溫區PVT晶體生長爐，將原料、摻雜物進行工藝處理后混合一起放入原料區、襯底放入襯底位置；2）調置PVT晶體生長爐一溫區、二溫區溫度，其溫度范圍根據原材料物理性能...