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本申請提供了一種用于硅通孔制作的對準結構及硅通孔的制作方法。該對準結構包括：襯底；層間介質層，設置在襯底的表面上；第一介電層，設置在層間介質層遠離襯底的表面上；凹槽，貫穿層間介質層和第一介電層設置；金屬層，沿凹槽的內壁設置；氮化層，設置在金...該專利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造（上海）有限公司授權不得商用。
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