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公開了用于通過增加過孔密度來增強后端互連以及其它這種互連結構的抗斷裂性的技術和結構?？梢岳缭诠苄緝鹊南噜忞娐穼拥奶畛湮?虛設部分內提供增加的過孔密度。在一些情況下，上部電路層的電隔離的(浮置)填充物線可包括過孔，所述過孔著陸到在與所述填充...
該專利屬于英特爾公司所有，僅供學習研究參考，未經過英特爾公司授權不得商用。

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