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本發(fā)明公開了一種BCD工藝中的隔離型齊納二極管，包括N型深阱，形成于半導(dǎo)體襯底上并用于實現(xiàn)隔離型齊納二極管的隔離；P型區(qū)，包括疊加而成的高壓P阱、P阱和P型基區(qū)；N型區(qū)，由形成于P型區(qū)表面上的N型源漏注入?yún)^(qū)組成，N型區(qū)底部和P型區(qū)接觸并形成...該專利屬于上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司授權(quán)不得商用。