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本專利公開了一種非制冷長波紅外探測器用吸收層結構，該吸收層位于探測器的熱敏感薄膜上，自上而下依次由第一介質層、第二金屬層、第三絕緣層組成。其特征在于：第一介質層是導熱性好、抗腐蝕性強的氮化硅薄膜，作為減反層和器件保護層，膜厚為1000nm–...該專利屬于中國科學院上海技術物理研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院上海技術物理研究所授權不得商用。
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本專利公開了一種非制冷長波紅外探測器用吸收層結構，該吸收層位于探測器的熱敏感薄膜上，自上而下依次由第一介質層、第二金屬層、第三絕緣層組成。其特征在于：第一介質層是導熱性好、抗腐蝕性強的氮化硅薄膜，作為減反層和器件保護層，膜厚為1000nm–...