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本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體光電元件的制作方法，其包含提供一第一基板、形成一第一半導(dǎo)體外延疊層及一第二半導(dǎo)體外延疊層于第一基板上、提供一第二基板、轉(zhuǎn)移第二半導(dǎo)體外延疊層至第二基板上、切割第一基板以形成一第一半導(dǎo)體光電元件包含上述第一半導(dǎo)體外延疊層、...該專利屬于晶元光電股份有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過晶元光電股份有限公司授權(quán)不得商用。