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本發明揭示了一種負偏壓溫度不穩定性檢測電路,該電路包括:環形回蕩器電路,每一測試電路的第一節點通過一分壓元件與其前一測試電路的第二節點相連,每一測試電路包括互補的待測PMOS管和NMOS管,所述待測PMOS管的源極接第一電壓端、柵極接所述第...該專利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司所有,僅供學習研究參考,未經過中芯國際集成電路制造(上海)有限公司授權不得商用。
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本發明揭示了一種負偏壓溫度不穩定性檢測電路,該電路包括:環形回蕩器電路,每一測試電路的第一節點通過一分壓元件與其前一測試電路的第二節點相連,每一測試電路包括互補的待測PMOS管和NMOS管,所述待測PMOS管的源極接第一電壓端、柵極接所述第...