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本發(fā)明提出一種絕緣柵雙極型晶體管直流特性仿真方法，包括以下步驟：獲取不同溫度下、不同寬長(zhǎng)比絕緣柵雙極型晶體管的直流特性測(cè)試數(shù)據(jù)；建立絕緣柵雙極型晶體管的直流宏模型，在NMOS晶體管與PNP晶體管組合的基礎(chǔ)上，加入一個(gè)壓控漂移區(qū)電阻表示絕緣柵...該專利屬于東南大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)東南大學(xué)授權(quán)不得商用。