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本發明涉及用以增強陽極鍵合蒸氣室中的壓力均勻性的制造技術。一種制造一個或多個蒸氣室的方法，所述方法包括：在具有第一直徑的第一晶片中形成一個或多個蒸氣室管芯；和在所述蒸氣室管芯之上將第二晶片陽極鍵合至所述第一晶片的第一側，所述第二晶片具有第二...
該專利屬于霍尼韋爾國際公司所有，僅供學習研究參考，未經過霍尼韋爾國際公司授權不得商用。

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