電介質(zhì)和/或電容器形成制造技術(shù)

總體上描述了組件、用于形成組件的方法和/或用于形成組件的系統(tǒng)的技術(shù)。在示例中，用于形成組件的方法可包括在支撐物上放置包括導(dǎo)電材料的第一層。該方法可包括在第一層上放置包括導(dǎo)電材料和氧的第二層。該方法可包括在第二層上放置包括碲和氧的第三層。該方法可包括在第三層上放置包括錫和碲的第四層。在示例中，在第三層上放置第四層可包括：在第四層上放置包括碲的第五層，在第五層上放置包括錫的第六層，在第六層上放置包括碲的第七層，以及對第五層、第六層、第七層進(jìn)行退火以形成第四層。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】電介質(zhì)和/或電容器形成
技術(shù)介紹
除非在本文中進(jìn)行另外聲明，在本部分所描述的內(nèi)容不是針對本申請權(quán)利要求的現(xiàn)有技術(shù)，并且也不通過被包含在本部分中而承認(rèn)這些內(nèi)容是現(xiàn)有技術(shù)。電容器可包括分開一定距離以及/或者通過分離件或介電材料分開的兩個以上電極。超級電容器可包括通過電解質(zhì)分開的兩個以上電極。在兩個電極上施加電壓時的示例中，可形成帶正電的電極和帶負(fù)電的電極。電解質(zhì)中的帶正電的離子會趨于朝向帶負(fù)電的電極移動，由此形成第一電容器。電解質(zhì)中的帶負(fù)電的離子會趨于朝向帶正電的電極移動，由此形成與第一電容器串聯(lián)的第二電容器。串聯(lián)的第一和第二電容器可用作單個超級電容器。
技術(shù)實現(xiàn)思路
在一些示例中，總體上描述了一種用于形成組件的方法。該方法可包括在支撐物上放置第一層。所述第一層可包括碲(Te)和氧(O)。該方法可包括在第一層上放置第二層。所述第二層可包括錫和碲。在一些示例中，總體上描述了一種用于形成組件的系統(tǒng)。該系統(tǒng)可包括腔室、與所述腔室通信的加熱器、沉積裝置、和/或處理器。所述沉積裝置可與所述腔室通信。所述處理器可與所述腔室、所述加熱器和所述沉積裝置通信。所述處理器可布置為控制所述腔室、所述加熱器和所述沉積裝置，以在支撐物上放置第一層。所述第一層可包括碲和氧。所述處理器可布置為控制所述腔室、所述加熱器和所述沉積裝置，以在所述第一層上放置第二層。所述第二層可包括錫和碲。在一些示例中，總體上描述了一種組件。所述組件可包括第一層，該第一層包括碲和氧。所述組件可包括所述第一層上的第二層。所述第二層可包括錫和碲。上面的
技術(shù)實現(xiàn)思路
僅僅是示例性的，并不意圖以任何方式進(jìn)行限制。除了以上所述的示例性的方面、實施方式和特征之外，通過參考附圖以及下面的詳細(xì)說明，其它方面、實施方式和特征將變得明顯。【附圖說明】根據(jù)下面的說明以及所附的權(quán)利要求，并一同考慮附圖，本公開的上述特征以及其它特征將更充分地變得明顯。理解的是，這些附圖僅用于根據(jù)本公開來對若干實施方式進(jìn)行描述，因此不應(yīng)認(rèn)為附圖用于限制本公開的范圍的情況下，將通過使用附圖以其它特征和細(xì)節(jié)來對本公開進(jìn)行說明，其中在附圖中:圖1示出了可以用來實現(xiàn)電介質(zhì)和/或電容器形成的示例系統(tǒng)；圖2描述了用于實施電介質(zhì)和/或電容器形成的示例處理的流程圖；圖3示出了可以用來實施電介質(zhì)和/或電容器形成的計算機(jī)程序產(chǎn)品；以及圖4是示出被布置為實施電介質(zhì)和/或電容器形成的示例計算裝置的框圖；所有以上附圖均根據(jù)本文所述的至少一些實施方式來進(jìn)行配置。【具體實施方式】在下面的【具體實施方式】中，參考構(gòu)成本文的一部分的附圖。在附圖中，除非文中另外規(guī)定，相同的標(biāo)記一般指代相同的部分。在【具體實施方式】、附圖以及權(quán)利要求中詳細(xì)說明的示例性實施方式并不意圖進(jìn)行限制。在不背離本文給出的精神或主旨的范圍的情況下，還可以采用其它實施方式以及進(jìn)行其它變更。應(yīng)當(dāng)容易地理解，如本文所總體描述以及在附圖中所闡述的那樣，本公開的各方面可以以各種不同的結(jié)構(gòu)進(jìn)行排列、替換、組合、分離和設(shè)計，所有這些在本文中都有明確的預(yù)期。一般來說，本公開尤其涉及與電介質(zhì)和/或電容器形成有關(guān)的系統(tǒng)、方法、材料和設(shè)備。簡單地說，總體上描述了組件、用于形成組件的方法和/或用于形成組件的系統(tǒng)。在示例中，用于形成組件的方法可包括:在支撐物上放置包括導(dǎo)電材料的第一層。該方法可包括:在所述第一層上放置包括導(dǎo)電材料和氧的第二層。該方法可包括:在第二層上放置包括碲和氧的第三層。該方法可包括:在第三層上放置包括錫和碲的第四層。在示例中，在第三層上放置第四層可包括:在第四層上放置包括碲的第五層，在第五層上放置包括錫的第六層，在第六層上放置包括碲的第七層，以及對第五層、第六層和第七層進(jìn)行退火以形成第四層。還應(yīng)當(dāng)理解，在說明書中所明確記載或暗示、和/或在權(quán)利要求中所引用的，作為屬于同一組或者是在結(jié)構(gòu)上、組成上、和/或功能上相關(guān)的化合物、材料或物質(zhì)的任何化合物、材料或物質(zhì)，包括該組中的單獨的代表物以及所有這些代表物的組合。圖1示出了根據(jù)本文所描述的至少一些實施方式的能夠用于實施電介質(zhì)和/或電容器形成的示例系統(tǒng)。示例性組件或電介質(zhì)和/或電容器形成系統(tǒng)100可包括:腔室110、沉積裝置120、泵134和/或加熱器122中的一個或多個。加熱器122對于控制加熱器122附近的溫度來說是有效的，并且可包括加熱元件和/或冷卻元件。腔室110可包括端口 132。這些元件中的至少一些可被布置為經(jīng)由通信鏈路182與處理器180進(jìn)行通信。在一些示例中，處理器180可適于與其中存儲有指令186的存儲器184進(jìn)行通信。處理器180可以例如利用指令186來控制以下所述的操作/動作/功能中的至少一些。沉積裝置120可使用諸如化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、電化學(xué)濕式化學(xué)制程、光刻、旋涂、濺射等的任意類型的沉積處理。在示例中，如附圖標(biāo)記30所示，可例如使用電子束物理氣相沉積裝置120通過蒸鍍在支撐物102上放置諸如鋁的導(dǎo)電基板104。在示例中，可以以大約10nm/s的速率以大約10秒的時間段在支撐物102上沉積基板104。在另一示例中，可以以25nm/s的速率以大約4秒的時間段在支撐物102上沉積基板104。作為示例，可以使用其它的沉積速率和/或時間來產(chǎn)生IOOnm的沉積物。在一些示例中，可以使用任意的導(dǎo)電材料或半導(dǎo)體用于基板 104。如附圖標(biāo)記32所示，可以對基板104進(jìn)行氧化以形成Al2O3層106。在示例中，可利用加熱裝置122(例如經(jīng)由紅外加熱)來在約250°C至約1000°C的溫度在約I(T4托(Torr)至約10_9托的范圍內(nèi)的氣氛或者在低壓氧氣124中對基板104加熱約I秒至約50秒的時間段，從而形成Al2O3層106。基板104和/或Al2O3層106可形成用于以下更詳細(xì)地描述的所形成的電容器130的電極。如附圖標(biāo)記34所示，層108包括碲和氧，例如，Te2O5、TeO2或TeO3，可將該層108放置在層106上。在示例中，可從腔室110排出氧氣124并且可以例如經(jīng)由端口 132和泵134施加約10_5托或更低壓的真空氣氛。在加熱器122的控制下，可將基板104的溫度降低到約10°C至約30°C的范圍內(nèi)的溫度。可利用沉積裝置120使用電子束物理氣相沉積，將二氧化碲TeO2蒸鍍到層106上。在示例中，可以以約lnm/s的速率以約10秒的時間段沉積TeO2，從而形成包括碲和氧的層108。在示例中，可以使用其它任意的沉積速率和時間段來產(chǎn)生例如約IOnm的想要的厚度。在示例中，可以將厚度處于約5nm至約IOnm的范圍內(nèi)的Te2O5的層沉積在包括Al2O3的層106上。如附圖標(biāo)記36所示,層112包括錫(Sn)和締(Te),例如多晶SnTe,并且可將層112放置在層108上。在示例中，可以排出腔室110的空氣并且可以例如利用端口 132和泵134來在腔室內(nèi)產(chǎn)生約10_6托或更低壓的真空氣氛。可以控制加熱器122來將基板104冷卻到約10°C至約25°C。為了放置層112，可以例如使用沉積裝置120并利用化學(xué)氣相沉積，來在層108上外延生長包括碲的層114。在示例中，可以以約0.5nm/s的速率以約10秒的時間段生長包括締的層114,以形成約5nm至約7nm厚的層114。在示例中，可以使用任意其它的沉積速率和本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點】
一種形成組件的方法，所述方法包括：在支撐物上放置第一層，其中，所述第一層包括碲和氧；以及在所述第一層上放置第二層，其中，所述第二層包括錫和碲。

【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】1.一種形成組件的方法，所述方法包括: 在支撐物上放置第一層，其中，所述第一層包括碲和氧；以及 在所述第一層上放置第二層，其中，所述第二層包括錫和碲。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中: 所述第一層包括Te205、TeO2、或TeO3中的至少一種；并且 所述第二層包括SnTe。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中， 所述第一層包括厚度為大約5nm的Te2O5,并且 所述第二層包括厚度為大約20nm的SnTe。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中， 所述第一層包括厚度處于大約Inm至大約IOnm的范圍內(nèi)的Te2O5,并且 所述第二層包括厚度處于大約Inm至大約50nm的范圍內(nèi)的SnTe。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法進(jìn)一步包括: 在所述支撐物上沉積所述第一層；以及 在所述第一層上沉積所述第二層。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法進(jìn)一步包括: 在所述支撐物上放置包括導(dǎo)電材料的第三層；以及 在所述第三層上放置所述第一層。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法進(jìn)一步包括: 在所述支撐物上放置包括鋁的第三層； 對所述第三層的至少一部分進(jìn)行氧化，以在所述第三層上形成第四層，所述第四層包括Al2O3 ；以及 在所述第四層上放置所述第一層。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述第一層上放置所述第二層包括: 在所述第二層上放置包括碲的第三層； 在所述第三層上放置包括錫的第四層； 在所述第四層上放置包括碲的第五層；以及 對所述第三層、所述第四層和所述第五層進(jìn)行退火，以形成所述第二層。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述第一層上放置所述第二層包括: 在所述第二層上放置包括碲的第三層，其中，所述第三層的厚度處于大約5nm至大約7nm的范圍內(nèi)； 在所述第三層上放置包括錫的第四層，其中，所述第四層的厚度處于大約7nm至大約9nm的范圍內(nèi)； 在所述第四層上放置包括碲的第五層，其中，所述第五層的厚度處于大約5nm至大約7nm的范圍內(nèi)；以及 對所述第三層、所述第四層和所述第五層進(jìn)行退火，以形成所述第二層。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法進(jìn)一步包括: 在所述支撐物上放置包括導(dǎo)電材料的第三層； 在所述第三層上放置包括所述導(dǎo)電材料和氧的第四層；在所述第四層上放置所述第一層； 在所述第二層上放置第五層，其中，所述第五層包括碲和氧；并且 其中，在所述第一層上放置所述第二層包括: 在所述第四層上放置包括碲的第六層； 在所述第六層上放置包括錫的第七層； 在所述第七層上放置包括碲的第八層；以及 對所述第六層、所述第七層和所述第八層進(jìn)行退火，以形成所述第二層。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述支撐物是第一支撐物，并且所述方法進(jìn)一步包括: 在所述第一支撐物上放置包括第一導(dǎo)電材料的第三層； 在所述第三層上放置包括所述第一導(dǎo)電材料和氧的第四層； 在所述第四層上放置所述第一層； 在所述第二層上放置第五層，其中，所述第五層包括碲和氧； 其中，在所述第一層上放置所述第二層包括: 在所述第四層上放置包括碲的第六層； 在所述第六層上放置包括錫的第七層； 在所述第七層上放置包括碲的`第八層； 對所述第六層、所述第七層和所述第八層進(jìn)行退火，以形成所述第二層； 并且，所述方法進(jìn)一步包括: 在第二支撐物上放置包括第二導(dǎo)電材料的第九層； 在所述第九層上放置包括所述第二導(dǎo)電材料和氧的第十層； 在所述第十層上放置第十一層，其中，所述第十一層包括碲和氧； 在所述第十一層上放置第十二層，其中，所述第十二層包括錫和碲； 在所述第十二層上放置第十三層，其中，所述第十三層包括碲和氧； 其中，在所述第十一層上放置所述第十二層包括: 在所述第十一層上放置包括碲的第十四層； 在所述第十四層上放置包括錫的第十五層； 在所述第十五層上放置包括碲的第十六層； 對所述第十四層、所述第十五層和所述第十六層進(jìn)行退火，以形成所述第十二層；并且 所述方法進(jìn)一步包括在所述第五層上放置所述第十三層。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述支撐物是第一支撐物，并且所述方法進(jìn)一步包括: 在所述第二層上放置第三層，其中，所述第三層包括碲和氧；并且 其中，在所述第一層上放置所述第二層包括: 在所述第一層上放置包括碲的第四層； 在所述第四層上放置包括錫的第五層； 在所述第五層上放置包括碲的第六層； 對所述第四層、所述第五層和所述第六層進(jìn)行退火，以形成所述第二層；并且 所述方法進(jìn)一步包括:在第二支撐物上放置第七層，其中，所述第七層包括碲和氧； 在所述第七層上放置第八層，其中，所述第八層包括錫和碲； 在所述第八層上放置第九層，其中，所述第九層包括碲和氧...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：C·羅特弗斯，S·W·陳，
申請(專利權(quán))人：英派爾科技開發(fā)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：美國;US