一種批量化類金剛石涂層鍍膜設(shè)備制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)屬于真空鍍膜領(lǐng)域，具體地說是一種對(duì)各種導(dǎo)電材質(zhì)和絕緣材質(zhì)的工件內(nèi)外表面同時(shí)進(jìn)行鍍膜的連續(xù)性等離子鍍膜設(shè)備。一種批量化類金剛石涂層鍍膜設(shè)備，包括DLC鍍膜室，DLC鍍膜室入口連接有進(jìn)料室系統(tǒng)，DLC鍍膜室出口連接有出料室系統(tǒng)。本實(shí)用新型專利技術(shù)將類金剛石涂層鍍膜技術(shù)以單個(gè)腔體推廣至多個(gè)腔體，在操作流程上注重鍍膜前期緩沖和鍍膜后期冷卻緩沖，解決了鍍膜前期工件組裝、烘烤、表面清洗和后期工件的冷卻等問題，大量節(jié)約鍍膜時(shí)間，另外，鍍膜真空要求上實(shí)現(xiàn)了切換自如、抽速穩(wěn)定，該方案為成功將類金剛石涂層鍍膜技術(shù)實(shí)現(xiàn)批量化自動(dòng)生產(chǎn)提供保障。（*該技術(shù)在2023年保護(hù)過期，可自由使用*）

Batch type diamond coating coating equipment

The utility model belongs to the field of vacuum coating, in particular to a continuous plasma coating device for coating the inner and outer surfaces of workpieces of various conductive materials and insulating materials. The utility model relates to a batch type diamond coating coating equipment, which comprises a DLC coating chamber, a feed chamber system is connected at the entrance of the DLC coating chamber, and a discharge chamber system is connected with the outlet of the DLC coating chamber. The utility model combines the diamond coating deposition technology with single cavity extended to a cavity in the operation process, focus on the early and late cooling buffer coating coating buffer solution, coating and baking, pre assembled workpiece surface cleaning and post workpiece cooling problems such as large amount of saving time and vacuum coating, coating requirements is realized switch freely, pumping speed is stable, the scheme for successful diamond coating deposition technology to achieve mass production of automatic protection.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【專利摘要】本技術(shù)屬于真空鍍膜領(lǐng)域，具體地說是一種對(duì)各種導(dǎo)電材質(zhì)和絕緣材質(zhì)的工件內(nèi)外表面同時(shí)進(jìn)行鍍膜的連續(xù)性等離子鍍膜設(shè)備。一種批量化類金剛石涂層鍍膜設(shè)備，包括DLC鍍膜室，DLC鍍膜室入口連接有進(jìn)料室系統(tǒng)，DLC鍍膜室出口連接有出料室系統(tǒng)。本技術(shù)將類金剛石涂層鍍膜技術(shù)以單個(gè)腔體推廣至多個(gè)腔體，在操作流程上注重鍍膜前期緩沖和鍍膜后期冷卻緩沖，解決了鍍膜前期工件組裝、烘烤、表面清洗和后期工件的冷卻等問題，大量節(jié)約鍍膜時(shí)間，另外，鍍膜真空要求上實(shí)現(xiàn)了切換自如、抽速穩(wěn)定，該方案為成功將類金剛石涂層鍍膜技術(shù)實(shí)現(xiàn)批量化自動(dòng)生產(chǎn)提供保障。【專利說明】一種批量化類金剛石涂層鍍膜設(shè)備
本技術(shù)屬于真空鍍膜領(lǐng)域，具體地說是ー種對(duì)各種導(dǎo)電材質(zhì)和絕緣材質(zhì)的エ件內(nèi)外表面同時(shí)進(jìn)行鍍膜的連續(xù)性等離子鍍膜設(shè)備。
技術(shù)介紹
類金剛石涂層鍍膜生產(chǎn)線是以等離子全方位離子沉積(Plasma Immersion 1nDeposition-PIID)技術(shù)為基礎(chǔ)在エ件表面涂覆超硬類金剛石涂層實(shí)現(xiàn)對(duì)エ件表面進(jìn)行改性的技木。PIID技術(shù)為等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition-PECVD)技術(shù)的ー種。其基本原理是，在低真空氣氛下，帶正電的離子和活性基團(tuán)在エ件表面沉積下來形成ー層非晶態(tài)的碳?xì)浔∧ぃ搭惤饎偸繉印；具^程如下:利用抽氣泵組將真空室氣壓抽至KT3Pa以下，并對(duì)真空室內(nèi)壁進(jìn)行烘烤，烘烤完畢后向真空室內(nèi)充入惰性氣體，如碳?xì)錃怏w，達(dá)到工作氣壓后，在エ件上施加偏壓，由于施加的是負(fù)偏壓，エ件上聚集的自由電子在真空狀態(tài)下從其表面逃逸出來，電子受到真空壁的吸引而加速，在行進(jìn)過程中與真空室內(nèi)的惰性氣體分子發(fā)生碰撞，造成氣體分子的電離，產(chǎn)生了惰性氣體的等離子體狀態(tài)。等離子體狀態(tài)是由帶正電的離子、活性基團(tuán)、基態(tài)原子或分子組成的混合狀態(tài)。帶正電的惰性氣體離子受到エ件的吸引而加速，在加速過程中可能會(huì)與其他原子或離子發(fā)生多次碰撞，產(chǎn)生更多的等離子體，最終會(huì)有大量的惰性氣體離子轟擊到エ件表面，造成エ件表面的氧化物和雜質(zhì)被刻蝕，實(shí)現(xiàn)了エ件表面的等離子體清洗，與等離子清洗原理相似，エ件經(jīng)清洗完畢后，在不降低電壓的情況下，向真空內(nèi)直接充入碳?xì)錃怏w等，電子轟擊這些氣體分子將其電離，和惰性氣體不同的是，帶正電的這些離子轟擊到エ件表面，獲得電子后不會(huì)變成氣體脫離表面，而是以固態(tài)的形式直接沉積下來，形成了碳?xì)渫繉樱簿褪穷惤饎偸繉樱惤饎偸繉泳哂懈叩挠捕龋ǔ榻饎偸?0%左右，HV3000，低的摩擦系數(shù)、好的耐腐蝕性能等特點(diǎn)。在類金剛石涂層鍍膜技術(shù)向產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的過程中，往往會(huì)遇到一些困難，如，次品率過高、批量化操作困難、鍍膜質(zhì)量重復(fù)性較低等問題。真空鍍膜實(shí)質(zhì)上是ー個(gè)體系工程，要想獲得理想的類金剛石涂層，要確保以下幾個(gè)關(guān)鍵因素:エ件表面前處理、鍍膜エ藝控制、夾具的設(shè)計(jì)與エ件裝夾技巧、氣體的流動(dòng)性控制、人員操作的規(guī)范性等。其中的某個(gè)因素操作失誤或者欠缺則直接會(huì)影響鍍膜質(zhì)量，甚至導(dǎo)致鍍膜失敗。對(duì)于批量化鍍膜而言，其設(shè)備是由多個(gè)真空室組成，每個(gè)真空室都有著其獨(dú)特的功能，在鍍膜的每個(gè)環(huán)節(jié)必須嚴(yán)格按照操作執(zhí)行，才能確保鍍膜質(zhì)量的穩(wěn)定性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)要解決的技術(shù)問題是提供保證類金剛石涂層的高質(zhì)量和穩(wěn)定性的批量化類金剛石涂層鍍膜設(shè)備。為解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)提供一種批量化類金剛石涂層鍍膜設(shè)備，包括DLC鍍膜室，所述DLC鍍膜室入口連接有進(jìn)料室系統(tǒng)，DLC鍍膜室出ロ連接有出料室系統(tǒng)。優(yōu)選的，進(jìn)料室系統(tǒng)包括進(jìn)ロ室，所述進(jìn)ロ室上連接有進(jìn)ロ緩沖室，所述進(jìn)ロ緩沖室上連接有進(jìn)ロ傳送室。優(yōu)選的，進(jìn)ロ傳送室與DLC鍍膜室連接。優(yōu)選的，出料室系統(tǒng)包括出口室，所述出口室上連接有出口緩沖室，所述出口緩沖室上連接有出口傳送室。優(yōu)選的，出口傳送室與DLC鍍膜室連接。優(yōu)選的，進(jìn)ロ室、進(jìn)ロ緩沖室、進(jìn)ロ傳送室、出口室、出口緩沖室、出口傳送室上均設(shè)置有抽氣裝置。優(yōu)選的，抽氣裝置為由機(jī)械泵、羅茨泵和渦輪分子泵組成的泵組。本批量化類金剛石涂層鍍膜設(shè)備外形為總長16.Sm,寬2m，高2m的方形罐體，其中DLC鍍膜室長6m，其他進(jìn)ロ室、進(jìn)ロ緩沖室、進(jìn)ロ傳送室、出口室、出口緩沖室、出口傳送室腔體長1.7m。抽氣裝置為由機(jī)械泵、羅茨泵和渦輪分子泵組成的泵組，可以實(shí)現(xiàn)每個(gè)腔體真空獨(dú)立控制，并保證穩(wěn)定的抽速和均勻的氣壓分布。采用上述技術(shù)方案的有益效果是:本技術(shù)將類金剛石涂層鍍膜技術(shù)以單個(gè)腔體推廣至多個(gè)腔體，在操作流程上注重鍍膜前期緩沖和鍍膜后期冷卻緩沖，解決了鍍膜前期エ件組裝、烘烤、表面清洗和后期エ件的冷卻等問題，大量節(jié)約鍍膜時(shí)間，另外，鍍膜真空要求上實(shí)現(xiàn)了切換自如、抽速穩(wěn)定，該方案為成功將類金剛石涂層鍍膜技術(shù)實(shí)現(xiàn)批量化自動(dòng)生產(chǎn)提供保障。【專利附圖】【附圖說明】圖1為本技術(shù)一種批量化類金剛石涂層鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，1、進(jìn)ロ室，2、進(jìn)ロ緩沖室，3、進(jìn)ロ傳送室，4、DLC鍍膜室，5、出口傳送室，6、出ロ緩沖室，7、出口室，8、抽氣裝置，9、機(jī)械泵，10、羅茨泵，11、渦輪分子泵，81、一號(hào)泵組，82、二號(hào)泵組，83、三號(hào)泵組,84、四號(hào)泵組,85、五號(hào)泵組。【具體實(shí)施方式】下面結(jié)合說明書附圖對(duì)本技術(shù)的技術(shù)方案和結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明，以便于本
的技術(shù)人員理解。如圖1所示，一種批量化類金剛石涂層鍍膜設(shè)備，包括DLC鍍膜室4，DLC鍍膜室4入口連接有進(jìn)料室系統(tǒng)，DLC鍍膜室出口連接有出料室系統(tǒng)，進(jìn)料室系統(tǒng)包括進(jìn)ロ室1，進(jìn)ロ室I上連接有進(jìn)ロ緩沖室2，進(jìn)ロ緩沖室2上連接有進(jìn)ロ傳送室3，進(jìn)ロ傳送室3與DLC鍍膜室4連接，出料室系統(tǒng)包括出ロ室7，出口室7上連接有出ロ緩沖室6，出ロ緩沖室6上連接有出ロ傳送室5，出口傳送室5與DLC鍍膜室4連接，進(jìn)ロ室1、進(jìn)ロ緩沖室2、進(jìn)ロ傳送室3、出口室7、出ロ緩沖室6、出ロ傳送室5上均設(shè)置有抽氣裝置8，抽氣裝置8為由機(jī)械泵9、羅茨泵10和渦輪分子泵11組成的泵組。本批量化類金剛石涂層鍍膜設(shè)備外形為總長16.Sm,寬2m，高2m的方形罐體，其中DLC鍍膜室5長6m，其他進(jìn)ロ室1、進(jìn)ロ緩沖室1、進(jìn)ロ傳送室2、出口室7、出口緩沖室6、出ロ傳送室5腔體長1.7m。抽氣裝置為由機(jī)械泵9、羅茨泵11和渦輪分子泵10組成的泵組，可以實(shí)現(xiàn)每個(gè)腔體真空獨(dú)立控制，并保證穩(wěn)定的抽速和均勻的氣壓分布。具體實(shí)施過程為:(I)開啟進(jìn)ロ室I閥門，將エ件清洗干凈，安裝于進(jìn)ロ室1，安裝完畢后，關(guān)閉進(jìn)ロ室1，開啟一號(hào)泵組81，氣壓達(dá)到10_2Pa后開啟進(jìn)ロ室I與進(jìn)ロ緩沖室2之間的插板閥，エ件通過滑動(dòng)導(dǎo)軌進(jìn)入進(jìn)ロ緩沖室2 ；(2)關(guān)閉進(jìn)ロ室I與進(jìn)ロ緩沖室2之間的插板閥，開啟二號(hào)泵組82，穩(wěn)定氣壓在10_2Pa，同時(shí)對(duì)進(jìn)ロ室I放氣，重新裝エ件，重復(fù)(I)步驟；(3)開啟進(jìn)ロ緩沖室2和進(jìn)ロ傳送室3之間的插板閥，將エ件轉(zhuǎn)到進(jìn)ロ傳送室3，同時(shí)關(guān)閉進(jìn)ロ緩沖室2和進(jìn)ロ傳送室3之間的插板閥，打開進(jìn)ロ傳送室3與DLC鍍膜室4之間的閥門，將エ件轉(zhuǎn)到DLC鍍膜室4后關(guān)閉閥門，開啟三號(hào)泵組83，將氣壓抽到10_4Pa后，向DLC鍍膜室4充入Ar，并在エ件上加載負(fù)偏壓實(shí)現(xiàn)等離子清洗；(4)清洗完畢后，關(guān)閉Ar，充入甲烷或こ炔，在不改變參數(shù)下進(jìn)本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種批量化類金剛石涂層鍍膜設(shè)備，其特征在于：包括DLC鍍膜室，所述DLC鍍膜室入口連接有進(jìn)料室系統(tǒng)，DLC鍍膜室出口連接有出料室系統(tǒng)。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李燦民，陶滿，陶圣全，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：合肥永信等離子技術(shù)有限公司，
類型：實(shí)用新型
國別省市：