【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】用于集成電容式觸摸裝置的接線及外圍相關申請案的交叉參考本申請案主張2011年4月29日申請的標題為“用于集成電容式觸摸裝置的接線及外圍(WIRING AND PERIPHERY FOR INTEGRATED CAPACITIVE TOUCH DEVICES) ”(代理人案號QUALP050P/101798P1)的第61/480,970號美國臨時專利申請案及2011年11月4日申請的標題為“用于集成電容式觸摸裝置的接線及外圍(WIRING AND PERIPHERYFOR INTEGRATED CAPACITIVE TOUCH DEVICES) ”(代理人案號 QUALP050/101798)的第13/290,001號美國專利申請案的優先權,所述案兩者以引用方式且出于全部目的并入本文中。
本專利技術涉及顯示裝置,包含(但不限于)并入有觸摸屏幕的顯示裝置。
技術介紹
機電系統(EMS)包含具有電元件及機械元件、致動器、轉換器、傳感器、光學組件(包含,鏡子)及電子器件的裝置。機電系統可以多種尺度制造,包含但不限于微米尺度及納米尺度。例如,微機電系統(MEMS)裝置可包含具有從約一微米到幾百微米或更大范圍的大小的結構。納米機電系統(NEMS)裝置可包含具有小于一微米的大小的結構,包含例如小于幾百納米的大小。機電元件可使用將襯底及/或沉積的材料層的部分蝕除或添加層以形成電及機電裝置的沉積、蝕刻、光刻及/或其它微加工過程而建立。一種類型的EMS裝置稱為干涉式調制器(MOD)。如本文中所使用,術語干涉式調制器或干涉式光調制器指代使用光學干涉原理選擇性地吸收及/或 ...
【技術保護點】
一種方法,其包括:在實質上透明襯底上沉積光學腔層以形成多個傳感器電極;在所述光學腔層上及所述實質上透明襯底的暴露區域上沉積實質上透明電介質材料;形成穿過所述實質上透明電介質材料的通孔以暴露所述下伏光學腔層的部分;及在所述通孔中沉積導電材料以在所述下伏光學腔層的所述部分之間形成電連接。
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2011.04.29 US 61/480,970;2011.11.04 US 13/290,0011.一種方法,其包括: 在實質上透明襯底上沉積光學腔層以形成多個傳感器電極; 在所述光學腔層上及所述實質上透明襯底的暴露區域上沉積實質上透明電介質材料; 形成穿過所述實質上透明電介質材料的通孔以暴露所述下伏光學腔層的部分;及在所述通孔中沉積導電材料以在所述下伏光學腔層的所述部分之間形成電連接。2.根據權利要求1所述的方法,其中沉積所述光學腔層涉及沉積黑色掩模層。3.根據權利要求2所述的方法,其中所述黑色掩模層提供跨從350納米到800納米的波長范圍的小于I %的適光積分反射率。4.根據權利要求1到3中任一權利要求所述的方法,其中沉積所述光學腔層涉及沉積部分反射及部分導電層、氧化物層及反射及導電層中的至少一者。5.根據權利要求4所述的方法,其中沉積所述氧化物層涉及沉積二氧化硅層或氧化銦錫層。6.根據權利要求4所述的方法,其中沉積所述部分反射及部分導電層涉及沉積鑰鉻MoCr合金層。7.根據權利要求1到6中任一權利要求所述的方法,其中所述傳感器電極形成于感測區域中,且其中沉積所述光學腔層涉及形成圍繞所述感測區域的至少一部分延伸的邊界區域。`8.根據權利要求7所述的方法,其中沉積所述氧化物層涉及在所述邊界區域中形成所述光學腔層以加強第一色彩及形成所述傳感器電極的所述光學腔層以加強第二色彩。9.根據權利要求7所述的方法,其中沉積所述導電材料涉及在所述邊界區域中形成布線導線及接地導線,所述方法進一步包含在所述邊界區域中的所述接地導線與所述光學腔層的導電層之間形成電連接。10.根據權利要求7所述的方法,其進一步包含在所述邊界區域中形成穿過所述光學腔層中的至少一者的通孔以產生裝飾物。11.根據權利要求10所述的方法,其中所述裝飾物為標志。12.根據權利要求7所述的方法,其中形成所述通孔涉及在所述邊界區域中形成經配置以暴露所述光學腔層的導電層的通孔。13.根據權利要求12所述的方法,其進一步包含經由所述邊界區域中的所述通孔將所述導電層連接到電接地導線。14.根據權利要求1到13中任一權利要求所述的方法,其中沉積所述光學腔層涉及形成將加強入射光的波長范圍或色彩的光學腔。15.根據權利要求1到14中任一權利要求所述的方法,其中沉積所述導電材料涉及在邊界區域中形成布線導線,所述布線導線經配置以將所述傳感器電極與控制電路連接。16.根據權利要求1到15中任一權利要求所述的方法,其中沉積所述光學腔層涉及形成投射電容式觸摸傳感器電極。17.根據權利要求16所述的方法,其中沉積所述光學腔層涉及在連續列中形成第一投射電容式觸摸傳感器電極及在不連續行中形成第二投射電容式觸摸傳感器電極,且其中沉積所述導電材料涉及在所述不連續行之間形成電連接。18.根據權利要求16所述的方法,其中沉積所述光學腔層涉及在不連續列中形成第一投射電容式觸摸傳感器電極及在連續行中形成第二投射電容式觸摸傳感器電極,且其中沉積所述導電材料涉及在所述不連續列之間形成電連接。19.一種設備,其包括: 實質上透明襯底; 多個觸摸傳感器電極,其安置在所述實質上透明襯底上,所述觸摸傳感器電極包含光學腔層; 實質上透明電介質材料,其安置在所述光學腔層上; 通孔,其經形成穿過所述實質上透明電介質材料到達所述光學腔層的部分;及所述通孔中的導電材料,其用以在所述光學腔層的所述部分之間形成電連接。20.根據權利要求19所述的設備,其中所述光學腔層包含黑色掩模層。21.根據權利要求20所述的設備,...
【專利技術屬性】
技術研發人員:約恩·比塔,拉西米·拉加溫德拉·拉奧,李肯賓,
申請(專利權)人:高通MEMS科技公司,
類型:
國別省市:
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