MEMS麥克風(fēng)制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)提供一種MEMS麥克風(fēng)，包括基底、背極板、振膜、絕緣層、支撐層和電極；背極板包括第一背極板和第二背極板，絕緣層包括第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層，支撐層包括第一支撐層和第二支撐層。第一絕緣層設(shè)置在基底和第一背極板之間，第二絕緣層設(shè)置在第一背極板的上方。第一支撐層設(shè)置在第二絕緣層和振膜之間，第二支撐層設(shè)置在振膜和第三絕緣層之間，在振膜上設(shè)置有向第二絕緣層方向延伸的振膜突出件，在第三絕緣層上設(shè)置有向振膜方向延伸的絕緣層突出件；第二背極板設(shè)置在第三絕緣層上方；電極分別設(shè)置在第一背極板和第二背極板上。本實(shí)用新型專利技術(shù)提供的MEMS麥克風(fēng)，能夠解決總諧波失真值、振膜與背極板黏粘和短路的問(wèn)題。（*該技術(shù)在2023年保護(hù)過(guò)期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種MEMS麥克風(fēng)，包括基底、背極板、振膜、絕緣層、支撐層和電極；其特征在于，所述背極板包括第一背極板和第二背極板，所述絕緣層包括第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層，所述支撐層包括第一支撐層和第二支撐層；所述第一絕緣層設(shè)置在所述基底和所述第一背極板之間，所述第二絕緣層設(shè)置在所述第一背極板的上方；所述第一支撐層設(shè)置在所述第二絕緣層和所述振膜之間，所述第二支撐層設(shè)置在所述振膜和所述第三絕緣層之間，其中，在所述振膜上設(shè)置有向所述第二絕緣層方向延伸的振膜突出件，在所述第三絕緣層上設(shè)置有向所述振膜方向延伸的絕緣層突出件；其中，所述第二背極板設(shè)置在所述第三絕緣層上方；所述電極分別設(shè)置在所述第一背極板和所述第二背極板上。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：蔡孟錦，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：歌爾聲學(xué)股份有限公司，
類型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：