導電性薄膜卷的制造方法技術

本發明專利技術提供一種導電性薄膜卷的制造方法，為了解決具備薄膜基材、透明導體層、金屬層的導電性薄膜的導電性薄膜卷的鄰接金屬層之間壓接的問題，提出了如下方法，其包含工序A、工序B、工序C；工序A中，邊退卷薄膜基材的第一卷，邊在薄膜基材的一個表面層疊第一透明導體層、第一金屬層，得到第一層疊體；工序B中，邊退卷第二卷邊在空氣中輸送第一層疊體，在第一金屬層的表面形成氧化覆膜層并得到第二層疊體；工序C中，邊退卷第三卷，邊在薄膜基材的另一表面層疊第二透明導體層、第二金屬層，制造第三層疊體并得到第四卷。由于氧化覆膜層的作用效果不會發生壓接。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及。
技術介紹
已知有導電性薄膜，其具備薄膜基材、分別形成于薄膜基材的兩面的透明導體層、和形成于各透明導體層上的金屬層(專利文獻1:日本特開2011-60146)。這種導電性薄膜用于觸摸屏時，通過對金屬層與透明導體層進行蝕刻加工從而在觸摸輸入區域的邊緣部形成布線，能夠實現窄邊框。但是，在將導電性薄膜卷曲成導電性薄膜卷時，有鄰接的金屬層之間壓接(blocking)的問題。壓接是指，金屬層之間因壓力而粘著?，F有技術文獻專利文獻專利文獻1:日本特開2011-60146號公報
技術實現思路
_6] 專利技術要解決的問題本專利技術的目的在于，解決在導電性薄膜卷中鄰接的導電性薄膜的金屬層之間壓接的問題。用于解決問題的方案(I)本專利技術的具備工序A、工序B、工序C。工序A包含工序Al、工序A2、工序A3、工序 A4。在工序Al中準備第一卷。第一卷為薄膜基材卷繞而成的。在工序A2中邊退卷第一卷邊在薄膜基材的一個表面層疊第一透明導體層。在工序A3中在第一透明導體層上層疊第一金屬層。然后，制造包含薄膜基材、第一透明導體層和第一金屬層的第一層疊體。在工序A4中卷繞第一層疊體并制造第二卷。第二卷為第一層疊體卷繞而成的。工序B包含工序B1、工序B2。在工序BI中邊退卷第二卷邊在空氣中輸送第一層疊體，從而在第一金屬層的表面形成氧化覆膜層。氧化覆膜層包含第一金屬層的氧化物。然后，制造包含薄膜基材、第一透明導體層、第一金屬層和氧化覆膜層的第二層疊體。在工序B2中卷繞第二層疊體并制造第三卷。第三卷為第二層疊體卷繞而成的。工序C包含工序Cl、工序C2、工序C3。在工序Cl中邊退卷第三卷邊在薄膜基材的另一表面層疊第二透明導體層。在工序C2中在第二透明導體層上層疊第二金屬層。然后，制造包含薄膜基材、第一透明導體層、第一金屬層、氧化覆膜層、第二透明導體層和第二金屬層的第三層疊體。在工序C3中卷繞第三層疊體并制造第四卷。第四卷為第三層疊體卷繞而成的。第四卷相當于導電性薄膜卷。(2)本專利技術的中，工序B中的在空氣中輸送第一層疊體的時間為3分鐘 20分鐘。(3)本專利技術的中，第一金屬層和第二金屬層為銅層。此時，氧化覆膜層包含氧化銅(I)。氧化銅(I)也叫做氧化亞銅，用Cu2O來表示。(4)本專利技術的中，氧化覆膜層中的氧化銅(I)的含量為50重量9Γ100重量％。(5)本專利技術的中，形成第一透明導體層的材料為氧化銦錫、氧化銦鋅或者氧化銦-氧化鋅復合氧化物中的任一種。形成第二透明導體層的材料也是同樣。(6)本專利技術的中，第一透明導體層、第一金屬層、第二透明導體層和第二金屬層均利用濺射法制造。專利技術的效果根據本專利技術，解決了導電性薄膜卷的金屬層之間壓接的問題。附圖說明圖1為本專利技術的制造方法的工序A的說明圖。圖2為本專利技術的制造方法的工序B的說明圖。圖3為本專利技術的制造方法的工序C的說明圖。圖4的(a)為第一層疊體的示意性截面圖、(b)為第二層疊體的示意性截面圖、(C)為第三層疊體的示意性截面圖。具體實施例方式[導電性薄 膜卷的制造方法]本專利技術的包含工序A、工序B、工序C。工序A示于圖1中。工序A包含工序Al、工序A2、工序A3、工序A4。在工序Al中，如圖1所示，準備薄膜基材11卷繞而成的第一卷12。在工序A2中,邊退卷第一卷12,邊在薄膜基材11 一個表面層疊自第一靶材13飛散的物質，從而得到第一透明導體層14。接著，在工序A3中，在第一透明導體層14上，層疊自第二靶材15飛散的物質從而得到第一金屬層16。然后，得到由薄膜基材11、第一透明導體層14和第一金屬層16構成的第一層疊體17。接著，在工序A4中，卷繞第一層疊體17并得到第二卷18。第二卷18為第一層疊體17卷繞而成的。工序B示于圖2中。工序B包含工序B1、工序B2。在工序BI中，如圖2所示，邊退卷第二卷18邊在空氣中輸送第一層疊體17，從而在第一金屬層16的表面形成氧化覆膜層19。氧化覆膜層19包含第一金屬層16的氧化物。然后，得到由薄膜基材11、第一透明導體層14、第一金屬層16和氧化覆膜層19構成的第二層疊體20。接著，在工序B2中，卷繞第二層疊體20從而得到第三卷21。第三卷21為第二層疊體20卷繞而成的。工序C示于圖3中。工序C包含工序Cl、工序C2、工序C3。在工序Cl中，如圖3所示，邊退卷第三卷21，邊在薄膜基材11的另一表面層疊自第三靶材22飛散的物質從而得到第二透明導體層23。接著，在工序C2中，在第二透明導體層23上層疊自第四靶材24飛散的物質從而得到第二金屬層25。然后，得到由薄膜基材11、第一透明導體層14、第一金屬層16、氧化覆膜層19、第二透明導體層23和第二金屬層25構成的第三層疊體26。接著，在工序C3中，卷繞第三層疊體26并得到第四卷27。第四卷27為第三層疊體26卷繞而成的。第四卷27相當于導電性薄膜卷。由本專利技術的制造方法制造的導電性薄膜卷(第四卷27)由于氧化覆膜層19的作用效果，第一金屬層16與第二金屬層25不會壓接。因此，卷繞第四卷27時不需要插入薄襯紙(slipsheet)。第四卷27的第一金屬層16與第二金屬層25不會壓接的理由推測如下。由于鄰接的第一金屬層16與第二金屬層25之間介設有不具有自由電子的氧化覆膜層19，從而第一金屬層16與第二金屬層25不會形成金屬鍵。因此，第一金屬層16與第二金屬層25不會壓接。有代表性的氧化覆膜層19為氧化銅層。本專利技術的制造方法只要包含工序A、工序B、工序C，在能得到本專利技術的效果的范圍內，可以在各工序之間、或者工序A之前或工序C之后包含其他工序。[工序A]在工序A中，優選使用圖1所示的濺射裝置28。在工序A中，如圖1所示，邊使薄膜基材11卷繞而成的第一卷12經由導向輥29退卷，邊使薄膜基材11在成膜輥30上卷繞。在卷繞在成膜輥30上的薄膜基材11上層疊自第一靶材13飛散的透明導體，從而得到第一透明導體層14 (工序A2)，所述第一靶材13由透明導體構成。接著，在同一個箱31內，在第一透明導體層14上層疊自第二靶材15飛散的金屬，從而得到第一金屬層16 (工序A3)，所述第二靶材15由金屬構成。將得到的由薄膜基材11、第一透明導體層14和第一金屬層16構成的第一層疊體17經由導向輥32卷繞，得到第二卷18(工序A4)。第二卷18為第一層疊體17卷繞而成的。第一層疊體17的示意性截面圖示于圖4的(a)中。第一層疊體17為在薄膜基材11上層疊有第一透明導體層14和第一金屬層16的層疊體。在薄膜基材11上層疊第一透明導體層14的步驟(工序A2)和在第一透明導體層14上層疊第一金屬層16的步驟(工序A3)，優選如圖1所示，在一個箱31內連續進行。通過在一個箱31內連續進行前述的兩個步驟，可以提高薄膜基材11與第一透明導體層14的密合性。還可以提高第一透明導體層14與第一金屬層16的密合性。進而可以減少混入薄膜基材11與第一透明導體層14層間的異物。還可以減少混入第一透明導體層14與第一金屬層16層間的異物。第一 透明導體層14的層疊和第一金屬層16的層疊優選利用濺射法來進行。但并不限于濺射法，也可以使用蒸鍍法、離子鍍法。圖1所示的濺射裝置28例如具備用于制造低壓環境(例如:1X 10_5Pa lPa)的箱31(chamber)、輸本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種導電性薄膜卷的制造方法，其具備工序A、工序B和工序C；所述工序A包含：準備薄膜基材卷繞而成的第一卷的工序A1，接著，邊退卷所述第一卷，邊在所述薄膜基材的一個表面層疊第一透明導體層的工序A2，接著，在所述第一透明導體層上層疊第一金屬層從而制造第一層疊體的工序A3，和接著，將所述第一層疊體卷繞從而制造第二卷的工序A4；所述工序B包含：邊退卷所述第二卷邊在空氣中輸送所述第一層疊體，并在所述第一金屬層的表面形成包含所述第一金屬層的氧化物的氧化覆膜層從而制造第二層疊體的工序B1，和接著，將所述第二層疊體卷繞從而制造第三卷的工序B2；所述工序C包含：邊退卷所述第三卷，邊在所述薄膜基材的另一表面層疊第二透明導體層的工序C1，接著，在所述第二透明導體層上層疊第二金屬層從而制造第三層疊體的工序C2，和接著，將所述第三層疊體卷繞從而制造第四卷的工序C3。

【技術特征摘要】
2012.01.25 JP 2012-0127171.一種導電性薄膜卷的制造方法，其具備工序A、工序B和工序C ; 所述工序A包含: 準備薄膜基材卷繞而成的第一卷的工序Al， 接著，邊退卷所述第一卷，邊在所述薄膜基材的一個表面層疊第一透明導體層的工序A2, 接著，在所述第一透明導體層上層疊第一金屬層從而制造第一層疊體的工序A3，和 接著，將所述第一層疊體卷繞從而制造第二卷的工序A4 ； 所述工序B包含: 邊退卷所述第二卷邊在空氣中輸送所述第一層疊體，并在所述第一金屬層的表面形成包含所述第一金屬層的氧化物的氧化覆膜層從而制造第二層疊體的工序BI，和接著，將所述第二層疊體卷繞從而制造第三卷的工序B2 ； 所述工序C包含: 邊退卷所述第三卷，邊在所述薄膜基材的另一表面層疊第二透明導體層的工序Cl， 接著，在所述第二透明...

【專利技術屬性】
技術研發人員：藤野望，鷹尾寬行，石橋邦昭，
申請(專利權)人：日東電工株式會社，
類型：發明
國別省市：