本發(fā)明專利技術(shù)提供能夠既抑制成本又降低噪聲、并且既確保金屬線與焊盤的連接強度又順暢連續(xù)地進(jìn)行接合的半導(dǎo)體裝置的制造方法。半導(dǎo)體裝置的制造方法，通過毛細(xì)管以及能夠切換成閉合狀態(tài)和打開狀態(tài)的線夾，用線連接在基板上形成的基板側(cè)電極焊盤和在芯片上形成的芯片側(cè)電極焊盤。通過化學(xué)鍍在基板側(cè)電極焊盤的最表層形成鍍金。使毛細(xì)管移動至越過線對基板側(cè)電極焊盤接合的一次接合的位置的正上方的位置為止，接著對基板側(cè)電極焊盤進(jìn)行線的一次接合。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法以及接合裝置。
技術(shù)介紹
以往，已知在形成有布線層的基板上載置了控制器芯片和/或存儲器芯片等芯片而成的半導(dǎo)體裝置。在這樣的半導(dǎo)體裝置中，通過將在基板上設(shè)置的電極焊盤與在芯片上設(shè)置的電極焊盤用金屬線連接(下面也之稱為接合(bonding))，使基板與芯片相互電連接。在這樣的半導(dǎo)體裝置中，伴隨通信速度的高速化，而期望既抑制成本又降低噪聲。另外，有時在形成于基板的電極焊盤的表面，形成鍍金。因此，期望抑制金的使用量以實現(xiàn)成本的抑制。另外，即使在抑制金的使用量而導(dǎo)致焊盤部分的鍍金變薄的情況下，仍期望既確保金屬線與焊盤的連接強度，又順暢連續(xù)地進(jìn)行接合。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供能夠既抑制成本又降低噪聲、并且既確保金屬線與焊盤的連接強度又順暢連續(xù)地進(jìn)行接合的半導(dǎo)體裝置的制造方法。根據(jù)本專利技術(shù)的一個方式，提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，通過從頂端供給金制的線的毛細(xì)管以及能夠切換為夾持線的閉合狀態(tài)和開放線的開放狀態(tài)的線夾，用線連接在基板的第一面上形成的基板側(cè)電極焊盤和在搭載于基板的第一面上的芯片上形成的芯片側(cè)電極焊盤。半導(dǎo)體裝置的制造方法包括如下步驟。通過化學(xué)鍍在基板側(cè)電極焊盤上形成鍍鎳。通過化學(xué)鍍在鍍鎳上形成鍍鈀。通過化學(xué)鍍在成為鍍鈀之上的最表層形成鍍金。使毛細(xì)管接近芯片，以將線的一端連接于芯片側(cè)電極焊盤。在線夾的打開狀態(tài)下，使毛細(xì)管向芯片上方移動，使毛細(xì)管向朝向基板側(cè)電極焊盤的第I方向移動。毛細(xì)管向第I方向的移動，進(jìn)行至越過一次接合的位置的正上方的位置為止。一邊使毛細(xì)管向與第I方向相反的第2方向移動一邊使其接近基板側(cè)電極焊盤，以將線一次接合于基板側(cè)電極焊盤。在與一次接合的位置相比向第I方向移動了的位置對線進(jìn)行二次接合。使毛細(xì)管向基板上方移動，將線夾切換成閉合狀態(tài)，使毛細(xì)管向基板的更上方移動。附圖說明圖1表示第I實施方式所涉及的接合裝置的概略結(jié)構(gòu)的圖。圖2是表示用圖1所示的接合裝置制造的半導(dǎo)體裝置的一例的圖。圖3是放大了基板的基板側(cè)電極焊盤部分的局部放大俯視圖。圖4是沿著圖3所示的A — A線的剖視圖。圖5是用于說明接合順序的流程圖。圖6是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個步驟的圖。圖7是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個步驟的圖。圖8是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個步驟的圖。圖9是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個步驟的圖。圖10是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個步驟的圖。圖11是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個步驟的圖。圖12是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個步驟的圖。圖13是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個步驟的圖。圖14是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個步驟的圖。圖15是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個步驟的圖。圖16是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個步驟的圖。圖17是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個步驟的圖。圖18是表示線與基板側(cè)電極焊盤的接合強度的圖。圖19是表示線與基板側(cè)電極焊盤的接合強度的圖。符號說明I控制部；2存儲部；3毛細(xì)管；3a貫穿孔；4線夾；5基板；5a第一面；6基板側(cè)電極焊盤；7控制器(芯片)；8芯片側(cè)電極焊盤；9存儲器芯片；10芯片側(cè)電極焊盤；11線；12樹脂模制部；13布線圖形；14保護膜；20球；21 —次接合點；22 二次接合點；31第I層；32第2層；33第3層；50接合裝置；60半導(dǎo)體裝置。具體實施例方式下面參照附圖，詳細(xì)說明本專利技術(shù)的實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。此外，本專利技術(shù)不由實施方式限定。(第I實施方式)圖1是表示第I實施方式所涉及的接合裝置的概略結(jié)構(gòu)的圖。接合裝置50包括控制部1、存儲部2、毛細(xì)管3和線夾4。圖2是表示用圖1所示的接合裝置制造的半導(dǎo)體裝置的一例的圖。首先，關(guān)于使用關(guān)于接合裝置50制造的半導(dǎo)體裝置60的概略結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。半導(dǎo)體裝置60具備基板5、控制器(芯片)7和存儲器芯片(芯片)9。基板5為在例如絕緣性樹脂基板的內(nèi)部和/或表面設(shè)有布線層的基板，兼作元件搭載基板和端子形成基板。作為這樣的基板5,使用用了玻璃環(huán)氧樹脂和/或玻璃BT樹脂(bismaleimide triazine resin,雙馬來酰亞胺三嗪樹脂)等的印刷布線板。在基板5的第一面5a上，形成有多個電極焊盤(基板側(cè)電極焊盤6)。圖3是放大了基板的基板側(cè)電極焊盤部分的局部放大俯視圖。圖4是沿圖3所示的A-A線的剖視圖。如圖3以及圖4所示，在基板5內(nèi)部，形成有作為布線層的布線圖形13。布線圖形13，例如用銅形成，通過電解電鍍形成，或者用軋制銅箔形成。另外，布線圖形13有時也由用了電解電鍍、化學(xué)鍍、軋制銅箔的多層結(jié)構(gòu)形成。布線圖形13的表面有阻焊劑等保護膜14覆蓋。保護膜14的一部分，通過蝕刻而開口，使得布線圖形13的一部分露出。該露出的布線圖形13部分，作為基板側(cè)電極焊盤6發(fā)揮作用。在布線圖形13的露出部分的表面，首先，通過化學(xué)鍍實施鍍鎳(Ni)，形成第I層31。接著，在鍍鎳表面，通過化學(xué)鍍實施鍍鈀(Pd)，形成第2層32。然后，在鍍鈀表面，通過化學(xué)鍍實施鍍金(Au)，形成第3層33。因此，在基板側(cè)電極焊盤6的最表層(第3層)，實施了基于化學(xué)鍍的鍍金。控制器7，從多個存儲器芯片9中選擇進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入和/或讀出的存儲器芯片9。控制器7控制向選擇的存儲器芯片9的數(shù)據(jù)寫入和/或、選擇的存儲器芯片9所存儲的數(shù)據(jù)的讀出等。控制器7被搭載在基板5的第一面5a上。在控制器7的上表面形成有多個電極焊盤(芯片側(cè)電極焊盤8)。存儲器芯片9為NAND型快閃存儲器等存儲元件。存儲器芯片9設(shè)有多枚，在基板5的第一面5a上層疊搭載。存儲器芯片9彼此俯視稍稍錯開地層疊。存儲器芯片9的上表面面中、因錯開層疊存儲器芯片9而露出的部分，形成有電極焊盤(芯片側(cè)電極焊盤10)。通過用線11連接基板側(cè)電極焊盤6與芯片側(cè)電極焊盤8、10，將在基板5形成的布線圖形13、控制器7與存儲器芯片9相互電連接。線11，通過利用接合裝置50進(jìn)行接合而設(shè)置，以連接電極焊盤6、8、10之間，關(guān)于其詳情將后述。樹脂模制部12包含合成樹脂，覆蓋基板5的第一面5a側(cè)以封止第一面5a上搭載的控制器7、存儲器芯片9和線11。接著，關(guān)于接合裝置50的概略結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。接合裝置50具備控制部1、存儲部2、毛細(xì)管3和線夾4。控制部1，基于存儲部2中存儲的程序使毛細(xì)管3以及線夾4工作，以使在半導(dǎo)體裝置60設(shè)置的電極焊盤6、8、10之間由線11連接。毛細(xì)管3，在其中心部具有貫穿孔3a，在貫穿孔3a中插通金制的線11。線11通過貫穿孔3a從毛細(xì)管3的頂端被供給。毛細(xì)管3的頂端為能夠使線11按壓連接于電極焊盤6、8、10的形狀。線夾4設(shè)置于毛細(xì)管3的基礎(chǔ)側(cè)，設(shè)為能夠切換為夾持在毛細(xì)管3的貫穿孔3a插通的線11的閉合狀態(tài)和開放線11的打開狀態(tài)。毛細(xì)管3與線夾4設(shè)為，能夠通過未圖示的驅(qū)動裝置三維移動，通過控制部I的制御進(jìn)行預(yù)定的工作。接著，說明通過接合裝置50將線11接合于電極焊盤6、8、10的順序。圖5是用于說明接合順序的流程圖。圖6 圖17是線11被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個步驟的圖。此外，圖6 圖17中，將與基板5的第一面5a本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，通過從頂端供給金制的線的毛細(xì)管以及能夠切換為夾持所述線的閉合狀態(tài)和開放所述線的打開狀態(tài)的線夾，用所述線連接在基板的第一面上形成的基板側(cè)電極焊盤與在搭載于所述基板的第一面上的芯片上形成的芯片側(cè)電極焊盤，其中，通過化學(xué)鍍在所述基板側(cè)電極焊盤上形成鍍鎳，通過化學(xué)鍍在所述鍍鎳上形成鍍鈀，通過化學(xué)鍍在成為所述鍍鈀之上的最表層形成鍍金，使所述毛細(xì)管接近所述芯片，以將所述線的一端連接于所述芯片側(cè)電極焊盤，在所述線夾的打開狀態(tài)下，使所述毛細(xì)管向所述芯片上方移動，使所述毛細(xì)管向朝向所述基板側(cè)電極焊盤的第1方向移動，使所述毛細(xì)管接近所述基板側(cè)電極焊盤以將所述線一次接合于所述基板側(cè)電極焊盤，使所述毛細(xì)管移動，以在與所述一次接合的位置相比向所述第1方向移動了的位置將所述線二次接合于所述基板側(cè)電極焊盤，使所述毛細(xì)管向所述基板上方移動，將所述線夾切換為閉合狀態(tài)，使所述毛細(xì)管向所述基板的更上方移動，所述毛細(xì)管向所述第1方向的移動，進(jìn)行至越過所述一次接合的位置的正上方的位置為止，所述一次接合，使所述毛細(xì)管邊向與所述第1方向相反的第2方向移動邊接近所述基板側(cè)電極焊盤而進(jìn)行。
【技術(shù)特征摘要】
...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：井本孝志，石田勝廣，蔣田英雄，渡邊昭吾，佐野雄一，谷本亮，安藤善康，武部直人，巖本正次，竹本康男，
申請(專利權(quán))人：株式會社東芝，
類型：發(fā)明
國別省市：
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