一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水及其制備方法技術

本發明專利技術涉及殺菌消毒領域，特別涉及一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水及其制備方法。本發明專利技術的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，包括以下步驟：（1）提供含有有效氯或者可以產生有效氯的有效氯提供單元；（2）提供pH值調節單元；（3）將所述pH值調節單元與所述有效氯提供單元混合，得到強氧化性溶液，所述強氧化性溶液的pH值在2-8間，其氧化還原電位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其氯代乙酸根離子的總含量不高于1.5mol/L。與現有的酸性氧化電位殺菌水相比，本發明專利技術的氧化電位殺菌水的制備方法制備的殺菌水可降低對金屬的腐蝕性，從而擴大了應用范圍。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及殺菌消毒領域，特別涉及。
技術介紹
消毒領域中引入氧化還原電位的概念是源于日本20世紀80年代研制生產的酸性氧化電位水生成機及由生成機產生的酸性氧化電位水。酸性氧化電位水(簡稱:E0W)是指具有高氧化還原電位(ORP)、低pH值特性和低濃度有效氯(ACC)的水。酸性氧化電位水殺菌的機理如下:首先，自然界中大多數種類的微生物生活在pH 4-9的環境中，而酸性氧化電位水的PH值可影響微生物生物膜上的電荷以及養料的吸收、酶的活性，并改變環境中養料的可給性或有害物質的毒性，從而快速殺滅微生物。其次，由于氫離子、鉀離子、鈉離子等在微生物生物膜內外的分布不同，使得膜內、外電位達到動態平衡時有一定的電位差，一般約為-700 +900mV。需氧細菌的生物膜內外的電位差一般為+200 +800mV,而厭氧細菌的生物膜內外的電位差一般為-700 +200mV。酸性氧化電位水中的氧化、還原物質和pH等因素，使其ORP高于IlOOmV,超出了微生物的生存范圍。具有高ORP (即0RP>1100 mV)的EOW接觸微生物后迅速奪取電子，干擾生物膜平衡，改變生物膜內外電位差、膜內外的滲透壓，導致生物膜通透性增強、細胞腫脹及生物代謝酶的破壞，使膜內物質溢出、溶解，從而快速殺滅微生物。最后，有效氯能使細胞的通透性發生改變，或使生物膜發生機械性破裂，促使膜內物質向外滲出，致使微生物死 亡。并且，次氯酸為中性小分子物質，易侵入細胞內與蛋白質發生氧化作用或破壞其磷酸脫氫酶，使糖代謝失調致使微生物死亡，從而快速殺滅微生物。EOW系統的殺菌能力是以ACC為主導，低pH值及高ORP為重要促進的三者協同作用的結果。該系統協同效果遠高于單一的ACC、低pH值及高ORP作用的簡單加和，其ACC越高、PH值越低、ORP越高，系統綜合滅菌效果就越好。但是，現有的酸性氧化電位殺菌水具有普遍的金屬腐蝕性。
技術實現思路
本專利技術的第一目的在于提供一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，以解決現有技術中的酸性氧化電位殺菌水具有普遍的金屬腐蝕性的技術性問題。本專利技術的第二目的在于提供一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水，以解決現有技術中的酸性氧化電位殺菌水具有普遍的金屬腐蝕性的技術性問題。本專利技術目的通過以下技術方案實現:一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，包括以下步驟:(I)提供含有有效氯或者可以產生有效氯的有效氯提供單元；(2)提供pH值調節單元；(3)將所述pH值調節單元與所述有效氯提供單元混合，得到強氧化性溶液，所述強氧化性溶液的pH值在2-8間，其氧化還原電位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其氯代乙酸根離子的總含量不高于1.5mol/L。優選地，所述強氧化性溶液的pH值在5-7間，其氧化還原電位為600_1200mV，其有效氯含量為3_2000mg/L,其氯代乙酸根尚子的總含量為10 1C1-10 2mol/L。優選地，所述氯代乙酸根離子為一氯乙酸根離子、二氯乙酸根離子、三氯乙酸根離子的其中一種或幾種。優選地，在步驟(I)中還包括:對所述有效氯提供單元進行降低氯代乙酸根離子的總含量的預處理。優選地，在步驟(2)中還包括:對所述pH值調節單元進行降低氯代乙酸根離子的總含量的預處理。優選地，在步驟(3)中還包括:對所述pH值調節單元與所述有效氯提供單元混合后的混合液進行降低氯代乙酸根離子的總含量的后處理。·優選地，所述降低氯代乙酸根離子的總含量的處理方法可選自加入氯代乙酸根離子失活劑、膜分離法、電化學法、層析法、吸附法或離子交換法中的一種或者幾種。一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水，包括使用前獨立分裝的pH值調節單元和有效氯提供單元；所述有效氯提供單元為含有有效氯或者可以產生有效氯的制劑，所述pH值調節單元與所述有效氯提供單元混合后得到強氧化性溶液，所述強氧化性溶液的pH值在2-8間，其氧化還原電位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其氯代乙酸根離子的總含量不高于1.5mol/L0優選地，所述強氧化性溶液的pH值在5-7間，其氧化還原電位為600_1200mV，其有效氯含量為3_2000mg/L,其氯代乙酸根尚子的總含量為10 1C1-10 2mol/L。優選地，所述氯代乙酸根離子為一氯乙酸根離子、二氯乙酸根離子、三氯乙酸根離子的其中一種或幾種。一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水，所述殺菌水的pH值在2-8間，其氧化還原電位不低于600mV,其有效氯含量不低于3mg/L,其氯代乙酸根離子的總含量不高于1.5mol/L。優選地，所述殺菌水的pH值在5-7間，其氧化還原電位為600_1200mV，其有效氯含量為3-2000mg/L，其氯代乙酸根離子的總含量為10_1(l-10_2mOl/L。優選地，所述氯代乙酸根離子為一氯乙酸根離子、二氯乙酸根離子、三氯乙酸根離子的其中一種或幾種。與現有的酸性氧化電位殺菌水相比，本專利技術有以下優點:1、本專利技術的氧化電位殺菌水的制備方法制備的殺菌水可降低對金屬的腐蝕性，從而擴大了應用范圍；2、在使用前，本專利技術的氧化電位殺菌水的pH值調節單元和有效氯提供單元單獨存放，當要使用時，再將PH值調節單元和有效氯提供單元混合，解決了氧化電位殺菌水的儲藏問題，使用非常方便；3、在制備本專利技術的氧化電位殺菌水的過程中，增強了人為可調節性，可根據實際需求調節殺菌水的PH值、ACC含量及ORP值。附圖說明圖1、圖2為pH=2、8的氧化性環境中，有效氯與氯代乙酸根離子對銅的腐蝕效果的示意圖；圖3、圖4為pH=2_8的氧化性環境中，pH與氯代乙酸根離子對銅的腐蝕效果的示意圖；圖5、圖6為pH=2的氧化性環境中，pH/ACC/氯代乙酸根離子對銅的腐蝕效果的示意圖(其中，Xl-表示一氯乙酸根離子；X2-表示二氯乙酸根離子；X3-表示三氯乙酸根離子)；圖7、圖8為pH=8的氧化性環境中，pH/ACC/氯代乙酸根離子對銅的腐蝕效果的示意圖(其中，Xl-表示一氯乙酸根離子；X2-表示二氯乙酸根離子；X3-表示三氯乙酸根離子)。具體實施例方式以下對本專利技術進行詳細描述。目前已知，有效氯具有三種基本的存在形式，包括氯氣、次氯酸分子和次氯酸根離子，其中氯氣及次氯酸分子在溶液中的殺菌性能遠遠大于次氯酸根離子。因為次氯酸根離子需要緩慢水解，轉變為次氯酸分子形態后，才具有殺菌性能，所以控制有效氯溶液的PH值，使有效氯以次氯酸分子及氯氣的形式存在，即可保證殺菌性能。次氯酸的酸性電離常數大約為pKa=7.6，因此有效氯溶液的口11值< pKa(7.6)時，溶液的有效氯中分子型有效氯的比例大于離子型有效氯。有效氯溶液的pH值< 8.0時，可以發揮足夠量(> 30%)分子型有效氯的活`性。有效氯溶液的pH值> 9.0時，分子型有效氯的比例不足4%。目前，酸性氧化電位殺菌水對金屬的腐蝕性已經展開了初步研究，已公布的結果顯示酸性氧化電位水具有普遍的金屬腐蝕性。但是對其腐蝕性的機理的研究并沒有進行，其腐蝕性通常被認為是過酸酸性(PH2-3)引起的，甚至認為近中性氧化電位水可以避免金屬腐蝕性。已公布的結果顯示酸性氧化電位水，對不銹鋼基本無腐蝕至輕度腐蝕，對碳鋼、銅、鋁中度至嚴重腐蝕，其結論的差異很大。氧化電位水對金屬腐蝕的普遍性是由于氧本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：（1）提供含有有效氯或者可以產生有效氯的有效氯提供單元；（2）提供pH值調節單元；（3）將所述pH值調節單元與所述有效氯提供單元混合，得到強氧化性溶液，所述強氧化性溶液的pH值在2?8間，其氧化還原電位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其氯代乙酸根離子的總含量不高于1.5mol/L。

【技術特征摘要】
1.一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)提供含有有效氯或者可以產生有效氯的有效氯提供單元； (2)提供pH值調節單元； (3)將所述pH值調節單元與所述有效氯提供單元混合，得到強氧化性溶液，所述強氧化性溶液的pH值在2-8間，其氧化還原電位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其氯代乙酸根離子的總含量不高于1.5mol/L。2.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述強氧化性溶液的pH值在5-7間，其氧化還原電位為600-1200mV，其有效氯含量為3_2000mg/L，其氯代乙酸根離子的總含量為lOJ-K^mol/L。3.如權利要求1或2所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述氯代乙酸根離子為一氯乙酸根離子、二氯乙酸根離子、三氯乙酸根離子的其中一種或幾種。4.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，在步驟(1)中還包括:對所述有效氯提供單元進行降低氯代乙酸根離子的總含量的預處理。5.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，在步驟(2)中還包括:對所述pH值調節單元進行降低氯代乙酸根離子的總含量的預處理。6.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，在步驟(3)中還包括:對所述pH值調節單元與所述有效氯提供單元混合后的混合液進行降低氯代乙酸根離子的總含量的后處理。7.如權利要求4或5或6所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述降低氯代乙酸根離子的總含量的處理方法可選自加入氯代乙...

【專利技術屬性】
技術研發人員：邵鵬飛，
申請(專利權)人：邵鵬飛，
類型：發明
國別省市：