【技術實現步驟摘要】
【技術保護點】
一種應用于驅動功率MOSFET半橋的集成電路結構，其特征在于，所述的集成電路結構包括電源模塊、上管驅動電路模塊和下管驅動電路模塊，所述的上管驅動電路模塊的輸入端為上管控制信號輸入端；所述的下管驅動電路模塊的輸入端為下管控制信號輸入端；所述的電源模塊包括電流源輸出端和電壓源輸出端，所述的電流源輸出端和電壓源輸出端均分別連接所述的上管驅動電路模塊和下管驅動電路模塊。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：張驍宇，陳冠峰，毛旭進，蔣亞平，
申請(專利權)人：無錫華潤矽科微電子有限公司，
類型：實用新型
國別省市：
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